2024年04月26日
產業：英飛凌氮化鎵功率元件獲Computex Best Choice Award類別獎
【財訊快報／記者李純君報導】歐系半導體大廠英飛凌(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)氮化鎵功率元件CoolGaNTM e-mode HEMT，獲2019年度Computex BC Award類別獎。同時，英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件，涵蓋矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的全方位供應商。電源轉換產品在日常生活中無所不在，各類技術的演進也讓各種輕薄短小的電源轉換產品得以實現。然而，就功率元件材料而言，矽材料的發展已接近其物理極限，讓市場更加看好寬能隙材料的應用前景。英飛凌CoolGaN e-mode HEMT採用常閉式(norm-OFF)概念，不僅讓設計人員容易導入，同時也實現快速開通和關斷。CoolGaN開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，能夠進而大幅提高系統工作頻率，從而透過縮小儲能及能量轉換元件的總體尺寸，提高功率密度，在相同能效下的功率密度可達140W/in3(3 kW LLC，效率>98%)，在相同的轉換系統尺寸中達到幾乎三倍的輸出功率，換言之，可節省更多空間。CoolGaNe-mode HEMT支援高頻運行的應用，包括企業與資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器和無線充電設施等。此外，CoolGaN擁有高度的耐用性以100 ppm(百萬分之一)的失效率來看，預估零件使用壽命約為55年，超越預期壽命40年，是市面上最可靠且通過全球認證的GaN解決方案之一。根據市調機構IHS Markit之報告，2026年整體GaN功率元件市場規模將超越10億美金。CoolGaN的高效率及其為系統帶來的高功率密度，不僅有助於節能減碳，實現更加小巧輕盈的設計，在未來萬物聯網與AI應用的時代，數據儲存及運算需求將大幅增加，對能源與電力的需求也加倍遽增。CoolGaN將成為推動「節能永續」不可或缺的重要元件技術。 |
